Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > ZXMN3A02X8TA
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3226677ZXMN3A02X8TA piltDiodes Incorporated

ZXMN3A02X8TA

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ZXMN3A02X8TA
  • Tootja / bränd
    Diodes Incorporated
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ZXMN3A02X8TA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-MSOP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 12A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.1W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
  • Muud nimed
    ZXMN3A02X8TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1400pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26.8nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-MSOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    5.3A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "ZXMN3A02X8TA" seotud tooted.
ZXMN3A02N8TA

ZXMN3A02N8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A01E6TA

ZXMN3A01E6TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A04DN8TA

ZXMN3A04DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A05N8TA

ZXMN3A05N8TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN2F34MATA

ZXMN2F34MATA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4A DFN-2X2

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A04KTC

ZXMN3A04KTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A06DN8TC

ZXMN3A06DN8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A03E6TA

ZXMN3A03E6TA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A02X8TC

ZXMN3A02X8TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN2F30FHTA

ZXMN2F30FHTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A06N8TA

ZXMN3A06N8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A06DN8TA

ZXMN3A06DN8TA

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A02N8TC

ZXMN3A02N8TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A01E6TC

ZXMN3A01E6TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A01FTC

ZXMN3A01FTC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A03E6TC

ZXMN3A03E6TC

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN2F34FHTA

ZXMN2F34FHTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A01ZTA

ZXMN3A01ZTA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
ZXMN3A04DN8TC

ZXMN3A04DN8TC

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.