Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > EPC2030
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5284378EPC2030 piltEPC

EPC2030

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
500+
$4.715
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    EPC2030
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET NCH 40V 31A DIE
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 16mA
  • Tehnoloogia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Seeria
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.4 mOhm @ 30A, 5V
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Muud nimed
    917-1150-2
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    12 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1900pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 40V 31A (Ta)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    31A (Ta)
EPC2032ENGR

EPC2032ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2033ENGR

EPC2033ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2025ENGR

EPC2025ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2023ENG

EPC2023ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2032ENGRT

EPC2032ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2031ENGR

EPC2031ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2024

EPC2024

Kirjeldus: MOSFET NCH 40V 60A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2032

EPC2032

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2030ENGRT

EPC2030ENGRT

Kirjeldus: MOSFET NCH 40V 31A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2033

EPC2033

Kirjeldus: TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2029ENGRT

EPC2029ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2025

EPC2025

Kirjeldus: TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2031

EPC2031

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2030ENGR

EPC2030ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2024ENGR

EPC2024ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2024ENG

EPC2024ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2029ENGR

EPC2029ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2023ENGR

EPC2023ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2029

EPC2029

Kirjeldus: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi