Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > EPC2110
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6432231EPC2110 piltEPC

EPC2110

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.68
10+
$2.421
25+
$2.162
100+
$1.946
250+
$1.729
500+
$1.513
1000+
$1.254
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    EPC2110
  • Tootja / bränd
    EPC
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    EPC2110.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 700µA
  • Pakkuja seadme pakett
    Die
  • Seeria
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60 mOhm @ 4A, 5V
  • Võimsus - maks
    -
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    Die
  • Muud nimed
    917-1152-1
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    14 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    80pF @ 60V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.8nC @ 5V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET funktsioon
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Vooluallikas (Vdss)
    120V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3.4A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "EPC2110" seotud tooted.
EPC2818

EPC2818

Kirjeldus: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Kirjeldus: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2202

EPC2202

Kirjeldus: GANFET N-CH 80V 18A DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2203

EPC2203

Kirjeldus: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2815

EPC2815

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Kirjeldus: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Kirjeldus: 200 V GAN IC FET DRIVER

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2105

EPC2105

Kirjeldus: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2111

EPC2111

Kirjeldus: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2106

EPC2106

Kirjeldus: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2801

EPC2801

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2107

EPC2107

Kirjeldus: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Kirjeldus: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2108

EPC2108

Kirjeldus: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.