Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N5408-E3/73
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
60342931N5408-E3/73 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

1N5408-E3/73

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$0.163
2000+
$0.15
5000+
$0.14
10000+
$0.131
25000+
$0.121
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N5408-E3/73
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.2V @ 3A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    1000V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-201AD
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Box (TB)
  • Pakett / kott
    DO-201AD, Axial
  • Muud nimed
    1N5408-E3/73-ND
    1N5408-E3/73GITB
    1N5408E373
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    25 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 1000V 3A Through Hole DO-201AD
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    30pF @ 4V, 1MHz
  • Baasosa number
    1N5408
1N5407RL

1N5407RL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
1N5408

1N5408

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
1N5407GP-E3/54

1N5407GP-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
1N5407TA

1N5407TA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Laos
1N5408-E3/51

1N5408-E3/51

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
1N5408-E3/54

1N5408-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
1N5408GHR0G

1N5408GHR0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
1N5407GP-TP

1N5407GP-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
1N5408G-T

1N5408G-T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
1N5408GHB0G

1N5408GHB0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
1N5408-TP

1N5408-TP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)
Laos
1N5408GHA0G

1N5408GHA0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
1N5408G

1N5408G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
1N5408GP-E3/54

1N5408GP-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
1N5407RLG

1N5407RLG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
1N5408-T

1N5408-T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
1N5408-G

1N5408-G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Tootjad: Comchip Technology
Laos
1N5408G A0G

1N5408G A0G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
1N5408-B

1N5408-B

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi