Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > ES3GHE3/9AT
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6830585ES3GHE3/9AT piltElectro-Films (EFI) / Vishay

ES3GHE3/9AT

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ES3GHE3/9AT
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    ES3GHE3/9AT.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.1V @ 3A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    400V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AB (SMC)
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    50ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-214AB, SMC
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 400V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    10µA @ 400V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    30pF @ 4V, 1MHz
  • Baasosa number
    ES3G

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "ES3GHE3/9AT" seotud tooted.
ES3GHE3_A/H

ES3GHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3GB M4G

ES3GB M4G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3GBHR5G

ES3GBHR5G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3HBHM4G

ES3HBHM4G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3HB R5G

ES3HB R5G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3G-E3/9AT

ES3G-E3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3GB R5G

ES3GB R5G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3G-M3/9AT

ES3G-M3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3HR7G

ES3HR7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3GHM6G

ES3GHM6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3GHE3/57T

ES3GHE3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3G-M3/57T

ES3G-M3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3GHR7G

ES3GHR7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3HM6G

ES3HM6G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3G V7G

ES3G V7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3HBHR5G

ES3HBHR5G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3GHE3_A/I

ES3GHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3HB M4G

ES3HB M4G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
ES3G-E3/57T

ES3G-E3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
ES3GBHM4G

ES3GBHM4G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.