Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > NSB8BT-E3/81
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3949540NSB8BT-E3/81 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

NSB8BT-E3/81

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$0.612
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    NSB8BT-E3/81
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.NSB8BT-E3/81.pdf
    2.NSB8BT-E3/81.pdf
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.1V @ 8A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    100V
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263AB
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 100V 8A Surface Mount TO-263AB
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    10µA @ 100V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    8A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    55pF @ 4V, 1MHz
  • Baasosa number
    NSB8B

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "NSB8BT-E3/81" seotud tooted.
NSB8DT-E3/81

NSB8DT-E3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8DT-E3/45

NSB8DT-E3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8DTHE3/45

NSB8DTHE3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8AT-E3/45

NSB8AT-E3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8BT-E3/45

NSB8BT-E3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB1706DMW5T1G

NSB1706DMW5T1G

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB8BTHE3_A/P

NSB8BTHE3_A/P

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8BTHE3_A/I

NSB8BTHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8BTHE3/81

NSB8BTHE3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8DTHE3/81

NSB8DTHE3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8ATHE3/81

NSB8ATHE3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8ATHE3_A/P

NSB8ATHE3_A/P

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8BTHE3/45

NSB8BTHE3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8ATHE3/45

NSB8ATHE3/45

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8AT-E3/81

NSB8AT-E3/81

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB8DTHE3_A/P

NSB8DTHE3_A/P

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB1706DMW5T1

NSB1706DMW5T1

Kirjeldus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB8DTHE3_A/I

NSB8DTHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
NSB4904DW1T1G

NSB4904DW1T1G

Kirjeldus: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NSB8ATHE3_A/I

NSB8ATHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.