Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI1424EDH-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1967923

SI1424EDH-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.54
10+
$0.423
100+
$0.29
500+
$0.199
1000+
$0.149
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI1424EDH-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI1424EDH-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    33 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Muud nimed
    SI1424EDH-T1-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 8V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 4A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI1424EDH-T1-GE3" seotud tooted.
SI1433DH-T1-GE3

SI1433DH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1431DH-T1-GE3

SI1431DH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1413DH-T1-GE3

SI1413DH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1413EDH-T1-E3

SI1413EDH-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1426DH-T1-E3

SI1426DH-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1422DH-T1-GE3

SI1422DH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1419DH-T1-E3

SI1419DH-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1416EDH-T1-GE3

SI1416EDH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1417EDH-T1-E3

SI1417EDH-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1426DH-T1-GE3

SI1426DH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1441EDH-T1-GE3

SI1441EDH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4A SOT-363

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1413EDH-T1-GE3

SI1413EDH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1433DH-T1-E3

SI1433DH-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.9A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1428EDH-T1-GE3

SI1428EDH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1413DH-T1-E3

SI1413DH-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1431DH-T1-E3

SI1431DH-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1442DH-T1-GE3

SI1442DH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 4A SOT-363

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1417EDH-T1-GE3

SI1417EDH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1414DH-T1-GE3

SI1414DH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1427EDH-T1-GE3

SI1427EDH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.