Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI1489EDH-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6906420

SI1489EDH-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.57
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI1489EDH-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI1489EDH-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±5V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-363
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    48 mOhm @ 3A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    2.8W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Muud nimed
    SI1489EDH-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.2V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    8V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 8V 2A (Tc) 2.8W (Tc) Surface Mount SOT-363
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI1489EDH-T1-GE3" seotud tooted.
SI1500 500G BTL

SI1500 500G BTL

Kirjeldus: SCOTCH-WELD SURFACE INSENSITIVE

Tootjad: 3M
Laos
RFQ
SI1472DH-T1-E3

SI1472DH-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1471DH-T1-E3

SI1471DH-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1539CDL-T1-GE3

SI1539CDL-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V SOT363

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1480DH-T1-GE3

SI1480DH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1473DH-T1-E3

SI1473DH-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1473DH-T1-GE3

SI1473DH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1539DDL-T1-GE3

SI1539DDL-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1551DL-T1-E3

SI1551DL-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1470DH-T1-GE3

SI1470DH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1471DH-T1-GE3

SI1471DH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1488DH-T1-E3

SI1488DH-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1539DL-T1-E3

SI1539DL-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1551DL-T1-GE3

SI1551DL-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1470DH-T1-E3

SI1470DH-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1488DH-T1-GE3

SI1488DH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1500 50G BTL

SI1500 50G BTL

Kirjeldus: SCOTCH-WELD SURFACE INSENSITIVE

Tootjad: 3M
Laos
RFQ
SI1499DH-T1-GE3

SI1499DH-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1539DL-T1-GE3

SI1539DL-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI1499DH-T1-E3

SI1499DH-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.