Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI2304DDS-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

4893741

SI2304DDS-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.133

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI2304DDS-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI2304DDS-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

SOT-23-3 (TO-236)
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3.2A, 10V
Voolukatkestus (max)

1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muud nimed

SI2304DDS-T1-GE3-ND
SI2304DDS-T1-GE3TR
SI2304DDST1GE3
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

27 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

235pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.7nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

30V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 30V 3.3A (Ta), 3.6A (Tc) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

3.3A (Ta), 3.6A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI2304DDS-T1-GE3" seotud tooted.

SI2304BDS-T1-E3

SI2304BDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2303BDS-T1-E3

SI2303BDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2305-TP

SI2305-TP

Kirjeldus: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)

Laos

SI2305ADS-T1-GE3

SI2305ADS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2306-TP

SI2306-TP

Kirjeldus: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)

Laos

SI2304-TP

SI2304-TP

Kirjeldus: N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)

Laos

SI2304BDS-T1-GE3

SI2304BDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2305B-TP

SI2305B-TP

Kirjeldus: P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)

Laos

SI2302DS,215

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale

Laos

SI2305ADS-T1-E3

SI2305ADS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2303BDS-T1-GE3

SI2303BDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2303-TP

SI2303-TP

Kirjeldus: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Tootjad: Micro Commercial Components (MCC)

Laos

SI2305DS-T1-E3

SI2305DS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2303CDS-T1-E3

SI2303CDS-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2304DS,215

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23

Tootjad: Nexperia

Laos

SI2303CDS-T1-GE3

SI2303CDS-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI2303BDS-T1

SI2303BDS-T1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.