Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI3441BDV-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2623786SI3441BDV-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3441BDV-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI3441BDV-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI3441BDV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    850mV @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    6-TSOP
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 3.3A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    860mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    2.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 20V 2.45A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.45A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI3441BDV-T1-GE3" seotud tooted.
SI3434DV-T1-GE3

SI3434DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3443CDV-T1-GE3

SI3443CDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3437DV-T1-E3

SI3437DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3443DDV-T1-GE3

SI3443DDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3438DV-T1-E3

SI3438DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3434DV-T1-E3

SI3434DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3440DV-T1-E3

SI3440DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3443CDV-T1-E3

SI3443CDV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3443BDV-T1-GE3

SI3443BDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3440ADV-T1-GE3

SI3440ADV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3442BDV-T1-E3

SI3442BDV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3442BDV-T1-GE3

SI3442BDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3437DV-T1-GE3

SI3437DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3442CDV-T1-GE3

SI3442CDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3442DV

SI3442DV

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI3440DV-T1-GE3

SI3440DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3443DV

SI3443DV

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI3441BDV-T1-E3

SI3441BDV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3438DV-T1-GE3

SI3438DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3443BDV-T1-E3

SI3443BDV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.