Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI3464DV-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1600784SI3464DV-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3464DV-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.241
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI3464DV-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI3464DV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    6-TSOP
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    2W (Ta), 3.6W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Muud nimed
    SI3464DV-T1-GE3TR
    SI3464DVT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    27 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1065pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI3464DV-T1-GE3" seotud tooted.
SI3473DDV-T1-GE3

SI3473DDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3462-EVB

SI3462-EVB

Kirjeldus: BOARD EVAL POE PSE SGL PORT

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI3469DV-T1-GE3

SI3469DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3469DV-T1-E3

SI3469DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3460DDV-T1-GE3

SI3460DDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3461-E02-GM

SI3461-E02-GM

Kirjeldus: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI3465DV-T1-E3

SI3465DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3467DV-T1-E3

SI3467DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3465DV-T1-GE3

SI3465DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3461-E01-GM

SI3461-E01-GM

Kirjeldus: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI3467DV-T1-GE3

SI3467DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3462-E01-GM

SI3462-E01-GM

Kirjeldus: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI3460DV-T1-E3

SI3460DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3473DV-T1-E3

SI3473DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3460DV-T1-GE3

SI3460DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3473CDV-T1-E3

SI3473CDV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3462-E01-GMR

SI3462-E01-GMR

Kirjeldus: IC POE/POE PSE SGL PORT 11-QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI3461-KIT

SI3461-KIT

Kirjeldus: BOARD EVAL FOR SI3461

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI3473CDV-T1-GE3

SI3473CDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3461-E01-GMR

SI3461-E01-GMR

Kirjeldus: IC POWER MANAGEMENT CTLR 11VQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.