Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI3529DV-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6240312SI3529DV-T1-E3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3529DV-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI3529DV-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI3529DV-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    6-TSOP
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Võimsus - maks
    1.4W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    205pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • FET tüüp
    N and P-Channel
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array N and P-Channel 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.5A, 1.95A

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI3529DV-T1-E3" seotud tooted.
SI3493DV-T1-GE3

SI3493DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3500-A-GMR

SI3500-A-GMR

Kirjeldus: IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI3499DV-T1-E3

SI3499DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3588DV-T1-E3

SI3588DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3493DDV-T1-GE3

SI3493DDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3493BDV-T1-GE3

SI3493BDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3585DV-T1-GE3

SI3585DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3585CDV-T1-GE3

SI3585CDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3499DV-T1-GE3

SI3499DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3495DV-T1-GE3

SI3495DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3529DV-T1-GE3

SI3529DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3586DV-T1-E3

SI3586DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3585DV-T1-E3

SI3585DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3586DV-T1-GE3

SI3586DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3552DV-T1-GE3

SI3552DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3495DV-T1-E3

SI3495DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3493DV-T1-E3

SI3493DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3588DV-T1-GE3

SI3588DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3500-A-GM

SI3500-A-GM

Kirjeldus: IC REG BUCK ADJ 0.4A 20QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.