Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI3911DV-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6133361SI3911DV-T1-E3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI3911DV-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI3911DV-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI3911DV-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    450mV @ 250µA (Min)
  • Pakkuja seadme pakett
    6-TSOP
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    145 mOhm @ 2.2A, 4.5V
  • Võimsus - maks
    830mW
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Muud nimed
    SI3911DV-T1-E3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.5nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    2 P-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.8A 830mW Surface Mount 6-TSOP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.8A
  • Baasosa number
    SI3911

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI3911DV-T1-E3" seotud tooted.
SI3932DV-T1-GE3

SI3932DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3948DV-T1-GE3

SI3948DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3981DV-T1-GE3

SI3981DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3909DV-T1-E3

SI3909DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3879DV-T1-E3

SI3879DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3981DV-T1-E3

SI3981DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3905DV-T1-GE3

SI3905DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3983DV-T1-E3

SI3983DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3879DV-T1-GE3

SI3879DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3867DV-T1-GE3

SI3867DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3867DV-T1-E3

SI3867DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3905DV-T1-E3

SI3905DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3909DV-T1-GE3

SI3909DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3948DV-T1-E3

SI3948DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3900DV-T1-E3

SI3900DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SI3951DV-T1-GE3

SI3951DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3993CDV-T1-GE3

SI3993CDV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3900DV-T1-GE3

SI3900DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3951DV-T1-E3

SI3951DV-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI3983DV-T1-GE3

SI3983DV-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.