Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4128DY-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6099486

SI4128DY-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.267
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4128DY-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4128DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    24 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.4W (Ta), 5W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    27 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    435pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 10.9A (Ta) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10.9A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4128DY-T1-E3" seotud tooted.
SI4126-F-GM

SI4126-F-GM

Kirjeldus: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133-D-GTR

SI4133-D-GTR

Kirjeldus: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133-D-GT

SI4133-D-GT

Kirjeldus: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133-EVB

SI4133-EVB

Kirjeldus: BOARD EVALUATION FOR SI4133

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4126M-EVB

SI4126M-EVB

Kirjeldus: BOARD EVALUATION FOR SI4126

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4126DY-T1-GE3

SI4126DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4133GX2-BM

SI4133GX2-BM

Kirjeldus: IC SYNTH DUAL GSM RF(RF1/RF2/IF)

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4126-F-BMR

SI4126-F-BMR

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133-BT

SI4133-BT

Kirjeldus: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4126-F-BM

SI4126-F-BM

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER RF2/IF 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4124DY-T1-E3

SI4124DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4128DY-T1-GE3

SI4128DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4124DY-T1-GE3

SI4124DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4126-BM

SI4126-BM

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER WLAN RF2/IF 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133-D-GMR

SI4133-D-GMR

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER RF DUALBAND 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4126-F-GMR

SI4126-F-GMR

Kirjeldus: IC WLAN SYNTH (RF2/IF) 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133GX2M-EVB

SI4133GX2M-EVB

Kirjeldus: BOARD EVAL DUAL-BAND GSM-HITACHI

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4128BDY-T1-GE3

SI4128BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4133-D-GM

SI4133-D-GM

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER RF DUALBAND 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133M-EVB

SI4133M-EVB

Kirjeldus: BOARD EVALUATION FOR SI4133

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.