Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4134DY-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
82873

SI4134DY-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.95
10+
$0.829
100+
$0.64
500+
$0.474
1000+
$0.379
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4134DY-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4134DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 10A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4134DY-T1-E3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    27 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    846pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 14A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    14A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4134DY-T1-E3" seotud tooted.
SI4136-F-BM

SI4136-F-BM

Kirjeldus: SYNTH WLAN SAT RADIO(RF1/RF2/IF)

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133-D-GTR

SI4133-D-GTR

Kirjeldus: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4136-BM

SI4136-BM

Kirjeldus: IC SYNTH WLAN SAT/RADIO 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4134DY-T1-GE3

SI4134DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4134T-GM

SI4134T-GM

Kirjeldus: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133M-EVB

SI4133M-EVB

Kirjeldus: BOARD EVALUATION FOR SI4133

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133GX2-BM

SI4133GX2-BM

Kirjeldus: IC SYNTH DUAL GSM RF(RF1/RF2/IF)

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133-D-GMR

SI4133-D-GMR

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER RF DUALBAND 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133T-BM

SI4133T-BM

Kirjeldus: IC RF SYNTHESIZER DUAL 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4136-BT

SI4136-BT

Kirjeldus: IC SYNTH RF1/RF2/IF 24TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4136-EVB

SI4136-EVB

Kirjeldus: BOARD EVALUATION FOR SI4136

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133-EVB

SI4133-EVB

Kirjeldus: BOARD EVALUATION FOR SI4133

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4136-F-GM

SI4136-F-GM

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133-D-GT

SI4133-D-GT

Kirjeldus: IC SYNTHESIZR RF1/RF2/IF 24TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4136-F-BT

SI4136-F-BT

Kirjeldus: SYNTH WLAN SAT RADIO(RF1/RF2/IF)

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4136-F-GMR

SI4136-F-GMR

Kirjeldus: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133WM-EVB

SI4133WM-EVB

Kirjeldus: KIT EVAL FOR SI4133W-BM

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4134T-BM

SI4134T-BM

Kirjeldus: IC RF SYNTH DUAL W/DCXO 32MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133GX2M-EVB

SI4133GX2M-EVB

Kirjeldus: BOARD EVAL DUAL-BAND GSM-HITACHI

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4133T-GM

SI4133T-GM

Kirjeldus: IC RF SYNTHESIZER DUAL 28MLP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.