Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4210DY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4323937

SI4210DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.292
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4210DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4210DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35.5 mOhm @ 5A, 10V
  • Võimsus - maks
    2.7W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4210DY-T1-GE3-ND
    SI4210DY-T1-GE3TR
    SI4210DYT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    445pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 2.7W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    6.5A
  • Baasosa number
    SI4210

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4210DY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4206-EVB

SI4206-EVB

Kirjeldus: BOARD EVAL FOR SI4206

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4212-RKDA-EVB

SI4212-RKDA-EVB

Kirjeldus: BOARD EMULATION FOR SI4212

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4210-D-GM

SI4210-D-GM

Kirjeldus: IC TXRX QUAD-BAND 32QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4210-G-RF-EVB

SI4210-G-RF-EVB

Kirjeldus: BOARD RADIO FOR SI4210,SI4300

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4210-E-RF-EVB

SI4210-E-RF-EVB

Kirjeldus: BOARD EVALUATION FOR SI4210

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4210-X-BO-EVB

SI4210-X-BO-EVB

Kirjeldus: BOARD BREAKOUT FOR SI4210

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4212-RRDA-EVB

SI4212-RRDA-EVB

Kirjeldus: BOARD EVALUATION FOR SI4212

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4210-A-IF-EVB

SI4210-A-IF-EVB

Kirjeldus: BOARD INTERFACE FOR SI4210

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4212-TRDX-EVB

SI4212-TRDX-EVB

Kirjeldus: KIT EVAL DAUGHT CARD FOR SI4212

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4226DY-T1-GE3

SI4226DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4210-E-KT-EVB

SI4210-E-KT-EVB

Kirjeldus: BOARD EMULATION FOR SI4210

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4212-B-GM

SI4212-B-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX CELLULAR 36-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4210-EVB

SI4210-EVB

Kirjeldus: BOARD EVALUATION FOR SI4210

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4212-TKDX-EVB

SI4212-TKDX-EVB

Kirjeldus: KIT EVAL TXRX FOR SI4212

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4214DY-T1-GE3

SI4214DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4210-T-IF-EVB

SI4210-T-IF-EVB

Kirjeldus: BOARD RADIO INTRFC FOR SI4210

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4214DDY-T1-E3

SI4214DDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4210-G-KT-EVB

SI4210-G-KT-EVB

Kirjeldus: BOARD EMULATION FOR SI4210

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4214DDY-T1-GE3

SI4214DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4226DY-T1-E3

SI4226DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.