Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4286DY-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

2993931

SI4286DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

2500+

$0.499

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI4286DY-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI4286DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Pakkuja seadme pakett

8-SO
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

32.5 mOhm @ 8A, 10V
Võimsus - maks

2.9W
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muud nimed

SI4286DY-T1-GE3TR
SI4286DYT1GE3
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

375pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V
FET tüüp

2 N-Channel (Dual)
FET funktsioon

Standard
Vooluallikas (Vdss)

40V
Täpsem kirjeldus

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 2.9W Surface Mount 8-SO
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

7A
Baasosa number

SI4286

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI4286DY-T1-GE3" seotud tooted.

SI4226DY-T1-GE3

SI4226DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4311-B21-GM

Kirjeldus: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4311-B12-GMR

Kirjeldus: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4226DY-T1-E3

SI4226DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4276DY-T1-E3

SI4276DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4311-B10-GM

Kirjeldus: IC RX FSK 315/434MHZ 20VQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4228DY-T1-E3

SI4228DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4300-EVB

SI4300-EVB

Kirjeldus: BOARD EVAL FOR SI4300

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4276DY-T1-GE3

SI4276DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4214DDY-T1-E3

SI4214DDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4300-E-BM

SI4300-E-BM

Kirjeldus: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4228DY-T1-GE3

SI4228DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4214DY-T1-GE3

SI4214DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4230DY-T1-GE3

SI4230DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4310BDY-T1-E3

SI4310BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO

Tootjad: Vishay Siliconix

Laos

SI4300T-B-BM

SI4300T-B-BM

Kirjeldus: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4214DDY-T1-GE3

SI4214DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4311-B21-GMR

Kirjeldus: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4311-B12-GM

Kirjeldus: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.