Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4320DY-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3403255

SI4320DY-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4320DY-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4320DY-T1-E3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3 mOhm @ 25A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.6W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    6500pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 17A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    17A (Ta)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4320DY-T1-E3" seotud tooted.
SI4322DY-T1-GE3

SI4322DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4311-B12-GMR

SI4311-B12-GMR

Kirjeldus: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4322DY-T1-E3

SI4322DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4320-J1-FTR

SI4320-J1-FTR

Kirjeldus: IC RCVR FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4320-J1-FT

SI4320-J1-FT

Kirjeldus: IC RCVR FSK 915MHZ 5.4V 16-TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4312-B10-GMR

SI4312-B10-GMR

Kirjeldus: IC RX OOK 315/434MHZ 20VQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4324DY-T1-E3

SI4324DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4322-A1-FT

SI4322-A1-FT

Kirjeldus: IC RCVR FSK 915MHZ 3.8V 16-TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4324DY-T1-GE3

SI4324DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4313-B1-FMR

SI4313-B1-FMR

Kirjeldus: IC RX FSK 315-915MHZ 20QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4311-B12-GM

SI4311-B12-GM

Kirjeldus: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4330-B1-FMR

SI4330-B1-FMR

Kirjeldus: IC RX ISM 240-960MHZ 20QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4313-B1-FM

SI4313-B1-FM

Kirjeldus: IC RX FSK 315-915MHZ 20QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4311-B21-GM

SI4311-B21-GM

Kirjeldus: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4320DY-T1-GE3

SI4320DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4312-B10-GM

SI4312-B10-GM

Kirjeldus: IC RX OOK 315/434MHZ 20VQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4322-A0-FT

SI4322-A0-FT

Kirjeldus: IC RX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4330-B1-FM

SI4330-B1-FM

Kirjeldus: IC RCVR ISM 960MHZ 3.6V 20-QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4322-A0-FTR

SI4322-A0-FTR

Kirjeldus: IC RX FSK UNI 868/915MHZ 16TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4311-B21-GMR

SI4311-B21-GMR

Kirjeldus: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.