Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4418DY-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
9223

SI4418DY-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4418DY-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4418DY-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    130 mOhm @ 3A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.5W (Ta)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4418DY-T1-E3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    200V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 200V 2.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.3A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4418DY-T1-E3" seotud tooted.
SI4411DY-T1-E3

SI4411DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4411DY-T1-GE3

SI4411DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4418DY-T1-GE3

SI4418DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4410DYPBF

SI4410DYPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4420DYTR

SI4420DYTR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4412ADY-T1-GE3

SI4412ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4412ADY-T1-E3

SI4412ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4420DY

SI4420DY

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI4420DY

SI4420DY

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4420DY,518

SI4420DY,518

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
SI4413ADY-T1-GE3

SI4413ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4420-D1-FT

SI4420-D1-FT

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4420BDY-T1-GE3

SI4420BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4410DYTRPBF

SI4410DYTRPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4420BDY-T1-E3

SI4420BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4413CDY-T1-GE3

SI4413CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4420-D1-FTR

SI4420-D1-FTR

Kirjeldus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 16-TSSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4413ADY-T1-E3

SI4413ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4420DYPBF

SI4420DYPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
SI4413DDY-T1-GE3

SI4413DDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.