Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4464DY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4758857

SI4464DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.535
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4464DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4464DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    240 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.5W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4464DY-T1-GE3TR
    SI4464DYT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    200V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 200V 1.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.7A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4464DY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4463-C2A-GM

SI4463-C2A-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4467-A2A-IM

SI4467-A2A-IM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4466DY-T1-E3

SI4466DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4468-A2A-IM

SI4468-A2A-IM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4463BDY-T1-GE3

SI4463BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4470EY-T1-E3

SI4470EY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4463CDY-T1-GE3

SI4463CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHAN 2.5V SO8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4464-B1B-FM

SI4464-B1B-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4465ADY-T1-GE3

SI4465ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4464DY-T1-E3

SI4464DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4470EY-T1-GE3

SI4470EY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4465ADY-T1-E3

SI4465ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4466DY-T1-GE3

SI4466DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4464-B1B-FMR

SI4464-B1B-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4467-A2A-IMR

SI4467-A2A-IMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-WFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4463-B1B-FMR

SI4463-B1B-FMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4464-B1X-FM

SI4464-B1X-FM

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4463-C2A-GMR

SI4463-C2A-GMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4468-A2A-IMR

SI4468-A2A-IMR

Kirjeldus: IC RF TXRX+MCU 802.15.4 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.