Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4628DY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6191088

SI4628DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.95
10+
$1.758
100+
$1.413
500+
$1.099
1000+
$0.91
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4628DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4628DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    SkyFET®, TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4628DY-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3450pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    87nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 38A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    38A (Tc)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4628DY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4622DY-T1-E3

SI4622DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4630DY-T1-GE3

SI4630DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4629-A10-AM

SI4629-A10-AM

Kirjeldus: IC DGTL RADIO SGL CHIP 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4630-A10-GMR

SI4630-A10-GMR

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4629-A10-GM

SI4629-A10-GM

Kirjeldus: IC DGTL RADIO SGL CHIP 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4624-A10-GMR

SI4624-A10-GMR

Kirjeldus: IC DGTL RADIO SGL CHIP 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4629-A10-AMR

SI4629-A10-AMR

Kirjeldus: IC DGTL RADIO SGL CHIP 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4631-A10-GM

SI4631-A10-GM

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4631-A10-GMR

SI4631-A10-GMR

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4622DY-T1-GE3

SI4622DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4622-A10-GMR

SI4622-A10-GMR

Kirjeldus: IC DGTL HD RADIO FM HP SGL 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4630-A10-GM

SI4630-A10-GM

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4626ADY-T1-GE3

SI4626ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4624-A10-AM

SI4624-A10-AM

Kirjeldus: IC DGTL RADIO SGL CHIP 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4629-A10-GMR

SI4629-A10-GMR

Kirjeldus: IC DGTL RADIO SGL CHIP 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4624-A10-GM

SI4624-A10-GM

Kirjeldus: IC DGTL RADIO SGL CHIP 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4626ADY-T1-E3

SI4626ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4622-A10-GM

SI4622-A10-GM

Kirjeldus: IC DGTL HD RADIO FM HP SGL 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4630DY-T1-E3

SI4630DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4624-A10-AMR

SI4624-A10-AMR

Kirjeldus: IC DGTL RADIO SGL CHIP 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.