Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4670DY-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

823690

SI4670DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

2500+

$0.602

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI4670DY-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI4670DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Pakkuja seadme pakett

8-SO
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 7A, 10V
Võimsus - maks

2.8W
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muud nimed

SI4670DY-T1-GE3TR
SI4670DYT1GE3
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

680pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V
FET tüüp

2 N-Channel (Dual)
FET funktsioon

Logic Level Gate
Vooluallikas (Vdss)

25V
Täpsem kirjeldus

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

8A
Baasosa number

SI4670

Seotud uudised
Laevandus
Makse

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI4670DY-T1-GE3" seotud tooted.

SI4682-A10-GM

Kirjeldus: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4660DY-T1-E3

SI4660DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4654DY-T1-E3

SI4654DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4684-A10-GMR

Kirjeldus: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4646DY-T1-GE3

SI4646DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4654DY-T1-GE3

SI4654DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4668DY-T1-E3

SI4668DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4683-A10-GMR

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4650DY-T1-E3

SI4650DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4670DY-T1-E3

SI4670DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4683-A10-GM

Kirjeldus: IC ANLG/DGTL RADIO 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4668DY-T1-GE3

SI4668DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4682-A10-GDR

SI4682-A10-GDR

Kirjeldus: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4660DY-T1-GE3

SI4660DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4682-A10-GMR

Kirjeldus: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4684-A10-GM

Kirjeldus: IC RADIO RX ANLG/DGTL 48QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4682DY-T1-GE3

SI4682DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4684-A10-GDR

SI4684-A10-GDR

Kirjeldus: IC RADIO RX ANLG/DGTL 62WLCSP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI4682DY-T1-E3

SI4682DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.