Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI4835DDY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6955867

SI4835DDY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.21
10+
$1.073
100+
$0.848
500+
$0.658
1000+
$0.519
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4835DDY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4835DDY-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±25V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 10A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4835DDY-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    27 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1960pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 13A (Tc) 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    13A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4835DDY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4838DY-T1-E3

SI4838DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4834BDY-T1-GE3

SI4834BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4834CDY-T1-E3

SI4834CDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4835-B30-GU

SI4835-B30-GU

Kirjeldus: IC RCVR AM/FM/SW RADIO 24SSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4834-A20-GU

SI4834-A20-GU

Kirjeldus: IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM/SW

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4834CDY-T1-GE3

SI4834CDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4834BDY-T1-E3

SI4834BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4835-DEMO

SI4835-DEMO

Kirjeldus: BOARD DEMO SI4831 SI4835 24-SSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4840-A10-GUR

SI4840-A10-GUR

Kirjeldus: IC AM/FM RX FOR DIGITAL RADIOS

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4836-DEMO

SI4836-DEMO

Kirjeldus: BOARD EVAL SI4836

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4838DY-T1-GE3

SI4838DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4835BDY-T1-E3

SI4835BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 7.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4838BDY-T1-GE3

SI4838BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 34A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4836DY-T1-GE3

SI4836DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4836-A10-GSR

SI4836-A10-GSR

Kirjeldus: IC RCVR AM/FM/SW ENH 16-SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4840-A10-GU

SI4840-A10-GU

Kirjeldus: IC AM/FM RX FOR DIGITAL RADIOS

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4836-A10-GS

SI4836-A10-GS

Kirjeldus: IC RCVR AM/FM/SW ENH 16-SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4836DY-T1-E3

SI4836DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4835-B30-GUR

SI4835-B30-GUR

Kirjeldus: IC RCVR AM/FM/SW RADIO 24SSOP

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI4835DDY-T1-E3

SI4835DDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.