Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4900DY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4265942

SI4900DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.58
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4900DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4900DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    58 mOhm @ 4.3A, 10V
  • Võimsus - maks
    3.1W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4900DY-T1-GE3-ND
    SI4900DY-T1-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    665pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    5.3A
  • Baasosa number
    SI4900

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4900DY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4896DY-T1-E3

SI4896DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4906DY-T1-E3

SI4906DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4892DY-T1-GE3

SI4892DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4900DY-T1-E3

SI4900DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4910DY-T1-GE3

SI4910DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4908DY-T1-GE3

SI4908DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4906DY-T1-GE3

SI4906DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4913DY-T1-E3

SI4913DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4904DY-T1-E3

SI4904DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4894BDY-T1-GE3

SI4894BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.