Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4972DY-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2795283

SI4972DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4972DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI4972DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.5 mOhm @ 6A, 10V
  • Võimsus - maks
    3.1W, 2.5W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1080pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Standard
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10.8A, 7.2A 3.1W, 2.5W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10.8A, 7.2A
  • Baasosa number
    SI4972

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI4972DY-T1-GE3" seotud tooted.
SI4948BEY-T1-GE3

SI4948BEY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4965DY-T1-GE3

SI4965DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4966DY-T1-GE3

SI4966DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4965DY-T1-E3

SI4965DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4952DY-T1-E3

SI4952DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4974DY-T1-E3

SI4974DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4948BEY-T1-E3

SI4948BEY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4973DY-T1-GE3

SI4973DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4972DY-T1-E3

SI4972DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4967DY-T1-GE3

SI4967DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4953ADY-T1-E3

SI4953ADY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4952DY-T1-GE3

SI4952DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4992EY-T1-E3

SI4992EY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4963BDY-T1-E3

SI4963BDY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4953ADY-T1-GE3

SI4953ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4992EY-T1-GE3

SI4992EY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4973DY-T1-E3

SI4973DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4967DY-T1-E3

SI4967DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4963BDY-T1-GE3

SI4963BDY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI4966DY-T1-E3

SI4966DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.