Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI5402DC-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

6700331

SI5402DC-T1-GE3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5402DC-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI5402DC-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI5402DC-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

1206-8 ChipFET™
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 4.9A, 10V
Voolukatkestus (max)

1.3W (Ta)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

8-SMD, Flat Lead
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

30V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

4.9A (Ta)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI5402DC-T1-GE3" seotud tooted.

SI5403DC-T1-GE3

SI5403DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5411EDU-T1-GE3

SI5411EDU-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5397M-A-GM

SI5397M-A-GM

Kirjeldus: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI5414DC-T1-GE3

SI5414DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5397K-A-GM

SI5397K-A-GM

Kirjeldus: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI5406DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5401DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5404BDC-T1-E3

SI5404BDC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5402DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5397J-A-GM

SI5397J-A-GM

Kirjeldus: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI5404BDC-T1-GE3

SI5404BDC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5397L-A-GM

SI5397L-A-GM

Kirjeldus: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI5402BDC-T1-E3

SI5402BDC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5410DU-T1-GE3

SI5410DU-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5415AEDU-T1-GE3

SI5415AEDU-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5406DC-T1-GE3

SI5406DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5401DC-T1-GE3

SI5401DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5397D-A-GM

SI5397D-A-GM

Kirjeldus: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI5402BDC-T1-GE3

SI5402BDC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI5406CDC-T1-GE3

SI5406CDC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.