Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI5429DU-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1064426SI5429DU-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI5429DU-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI5429DU-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI5429DU-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® ChipFet Dual
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 7A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.1W (Ta), 31W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    PowerPAK® ChipFET™ Dual
  • Muud nimed
    SI5429DU-T1-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2320pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    63nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI5429DU-T1-GE3" seotud tooted.
SI5440DC-T1-GE3

SI5440DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5433BDC-T1-GE3

SI5433BDC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5410DU-T1-GE3

SI5410DU-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5424DC-T1-GE3

SI5424DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5419DU-T1-GE3

SI5419DU-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5441BDC-T1-GE3

SI5441BDC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5432DC-T1-GE3

SI5432DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5433BDC-T1-E3

SI5433BDC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5418DU-T1-GE3

SI5418DU-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5441DC-T1-GE3

SI5441DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5415EDU-T1-GE3

SI5415EDU-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5424DC-T1-E3

SI5424DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5435BDC-T1-GE3

SI5435BDC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5406DC-T1-GE3

SI5406DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5415AEDU-T1-GE3

SI5415AEDU-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5411EDU-T1-GE3

SI5411EDU-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5441BDC-T1-E3

SI5441BDC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5435BDC-T1-E3

SI5435BDC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5441DC-T1-E3

SI5441DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5414DC-T1-GE3

SI5414DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.