Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI5915BDC-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5124276SI5915BDC-T1-E3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI5915BDC-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI5915BDC-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI5915BDC-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    1206-8 ChipFET™
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70 mOhm @ 3.3A, 4.5V
  • Võimsus - maks
    3.1W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SMD, Flat Lead
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    420pF @ 4V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 8V
  • FET tüüp
    2 P-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    8V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 8V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4A
  • Baasosa number
    SI5915

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI5915BDC-T1-E3" seotud tooted.
SI5908DC-T1-E3

SI5908DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5920DC-T1-GE3

SI5920DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5905BDC-T1-GE3

SI5905BDC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5915BDC-T1-GE3

SI5915BDC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5906DU-T1-GE3

SI5906DU-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5913DC-T1-GE3

SI5913DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5933CDC-T1-GE3

SI5933CDC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5920DC-T1-E3

SI5920DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5908DC-T1-GE3

SI5908DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5915DC-T1-E3

SI5915DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5904DC-T1-GE3

SI5904DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5922DU-T1-GE3

SI5922DU-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2 N-CH 30V 6A POWERPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5933DC-T1-E3

SI5933DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5905DC-T1-E3

SI5905DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5913DC-T1-E3

SI5913DC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5933DC-T1-GE3

SI5933DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5905DC-T1-GE3

SI5905DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5915DC-T1-GE3

SI5915DC-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5905BDC-T1-E3

SI5905BDC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI5933CDC-T1-E3

SI5933CDC-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.