Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7104DN-T1-E3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

6506439

SI7104DN-T1-E3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7104DN-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$1.087

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI7104DN-T1-E3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI7104DN-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA
Vgs (max)

±12V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

PowerPAK® 1212-8
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7 mOhm @ 26.1A, 4.5V
Voolukatkestus (max)

3.8W (Ta), 52W (Tc)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

PowerPAK® 1212-8
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

27 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

2800pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

2.5V, 4.5V
Vooluallikas (Vdss)

12V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 12V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI7104DN-T1-E3" seotud tooted.

SI7060-EVB

SI7060-EVB

Kirjeldus: SI7060 EVALUATION BOARD

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI7106DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7107DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7060-B-02-IV

SI7060-B-02-IV

Kirjeldus: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI7108DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7060-B-03-IVR

SI7060-B-03-IVR

Kirjeldus: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI7060-B-03-IV

SI7060-B-03-IV

Kirjeldus: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI7100DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7110DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7060-B-02-IVR

SI7060-B-02-IVR

Kirjeldus: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)

Laos

SI7101DN-T1-GE3

SI7101DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7102DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7100DN-T1-GE3

SI7100DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.