Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7309DN-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6841176SI7309DN-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7309DN-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.483
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI7309DN-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI7309DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® 1212-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    115 mOhm @ 3.9A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® 1212-8
  • Muud nimed
    SI7309DN-T1-GE3-ND
    SI7309DN-T1-GE3TR
    SI7309DNT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    600pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 60V 8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI7309DN-T1-GE3" seotud tooted.
SI7315DN-T1-GE3

SI7315DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7302DN-T1-E3

SI7302DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7308DN-T1-GE3

SI7308DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7322DN-T1-GE3

SI7322DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7302DN-T1-GE3

SI7302DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7272DP-T1-GE3

SI7272DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7270DP-T1-GE3

SI7270DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7336ADP-T1-E3

SI7336ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7328DN-T1-GE3

SI7328DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7322ADN-T1-GE3

SI7322ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 15.1A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7308DN-T1-E3

SI7308DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI72XX-EVAL-KIT

SI72XX-EVAL-KIT

Kirjeldus: SI72XX HALL EFFECT MAGNETIC SENS

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI72XX-WD-KIT

SI72XX-WD-KIT

Kirjeldus: DEMO AND DEVELOPMENT KIT FOR SI7

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI7288DP-T1-GE3

SI7288DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7326DN-T1-E3

SI7326DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7328DN-T1-E3

SI7328DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7326DN-T1-GE3

SI7326DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SI7317DN-T1-GE3

SI7317DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7322DN-T1-E3

SI7322DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7309DN-T1-E3

SI7309DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.