Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7434DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
873804SI7434DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7434DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$3.42
10+
$3.088
100+
$2.482
500+
$1.93
1000+
$1.599
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI7434DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI7434DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    155 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.9W (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SI7434DP-T1-GE3CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    250V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 250V 2.3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.3A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI7434DP-T1-GE3" seotud tooted.
SI7439DP-T1-GE3

SI7439DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7439DP-T1-E3

SI7439DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7425DN-T1-E3

SI7425DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7434DP-T1-E3

SI7434DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7446BDP-T1-GE3

SI7446BDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7446BDP-T1-E3

SI7446BDP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7445DP-T1-GE3

SI7445DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7430DP-T1-GE3

SI7430DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7430DP-T1-E3

SI7430DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7423DN-T1-E3

SI7423DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 7.4A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7447ADP-T1-E3

SI7447ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7440DP-T1-E3

SI7440DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7445DP-T1-E3

SI7445DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7431DP-T1-E3

SI7431DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7425DN-T1-GE3

SI7425DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7447ADP-T1-GE3

SI7447ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7423DN-T1-GE3

SI7423DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7434ADP-T1-RE3

SI7434ADP-T1-RE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 250V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7440DP-T1-GE3

SI7440DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7431DP-T1-GE3

SI7431DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.