Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7460DP-T1-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4806580SI7460DP-T1-E3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7460DP-T1-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.909
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI7460DP-T1-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI7460DP-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.6 mOhm @ 18A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.9W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    Q5555889
    SI7460DP-T1-E3-ND
    SI7460DP-T1-E3TR
    SI7460DPT1E3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    100nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 11A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI7460DP-T1-E3" seotud tooted.
SI7457DP-T1-E3

SI7457DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7461DP-T1-GE3

SI7461DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7463ADP-T1-GE3

SI7463ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7459DP-T1-GE3

SI7459DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7464DP-T1-GE3

SI7464DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7457DP-T1-GE3

SI7457DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7456DP-T1-GE3

SI7456DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7456CDP-T1-GE3

SI7456CDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7456DDP-T1-GE3

SI7456DDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7455DP-T1-GE3

SI7455DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7456DP-T1-E3

SI7456DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7462DP-T1-GE3

SI7462DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7463DP-T1-E3

SI7463DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7459DP-T1-E3

SI7459DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7455DP-T1-E3

SI7455DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7462DP-T1-E3

SI7462DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7463DP-T1-GE3

SI7463DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7461DP-T1-E3

SI7461DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7464DP-T1-E3

SI7464DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7460DP-T1-GE3

SI7460DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.