Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7489DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4568436SI7489DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7489DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$1.327
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI7489DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI7489DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    41 mOhm @ 7.8A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    5.2W (Ta), 83W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Muud nimed
    SI7489DP-T1-GE3TR
    SI7489DPT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    33 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4600pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    160nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 100V 28A (Tc) 5.2W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    28A (Tc)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI7489DP-T1-GE3" seotud tooted.
SI7495DP-T1-E3

SI7495DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7489DP-T1-E3

SI7489DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7478DP-T1-GE3

SI7478DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7483ADP-T1-E3

SI7483ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7485DP-T1-GE3

SI7485DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7495DP-T1-GE3

SI7495DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7476DP-T1-GE3

SI7476DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7540DP-T1-GE3

SI7540DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7491DP-T1-E3

SI7491DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7501DN-T1-GE3

SI7501DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7469DP-T1-GE3

SI7469DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7491DP-T1-GE3

SI7491DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7478DP-T1-E3

SI7478DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7483ADP-T1-GE3

SI7483ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7540DP-T1-E3

SI7540DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7540ADP-T1-GE3

SI7540ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH POWERPAK8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7501DN-T1-E3

SI7501DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7476DP-T1-E3

SI7476DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7485DP-T1-E3

SI7485DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7530DP-T1-E3

SI7530DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.