Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7682DP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
297427SI7682DP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7682DP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI7682DP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI7682DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    5W (Ta), 27.5W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1595pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 20A (Tc) 5W (Ta), 27.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI7682DP-T1-GE3" seotud tooted.
SI7668ADP-T1-GE3

SI7668ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7738DP-T1-E3

SI7738DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7686DP-T1-GE3

SI7686DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7716ADN-T1-GE3

SI7716ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7738DP-T1-GE3

SI7738DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7661ESA+

SI7661ESA+

Kirjeldus: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Tootjad: Maxim Integrated
Laos
RFQ
SI7720DN-T1-GE3

SI7720DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7703EDN-T1-E3

SI7703EDN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7661DJ

SI7661DJ

Kirjeldus: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

Tootjad: Maxim Integrated
Laos
RFQ
SI7674DP-T1-GE3

SI7674DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7668ADP-T1-E3

SI7668ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7664DP-T1-E3

SI7664DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7703EDN-T1-GE3

SI7703EDN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7682DP-T1-E3

SI7682DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7674DP-T1-E3

SI7674DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7726DN-T1-GE3

SI7726DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7718DN-T1-GE3

SI7718DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7686DP-T1-E3

SI7686DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7661ESA+T

SI7661ESA+T

Kirjeldus: IC REG SWTCHD CAP INV 20MA 8SOIC

Tootjad: Maxim Integrated
Laos
RFQ
SI7664DP-T1-GE3

SI7664DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.