Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7802DN-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1864338SI7802DN-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7802DN-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI7802DN-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI7802DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.6V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® 1212-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    435 mOhm @ 1.95A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.5W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® 1212-8
  • Muud nimed
    SI7802DN-T1-GE3TR
    SI7802DNT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    250V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 250V 1.24A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.24A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI7802DN-T1-GE3" seotud tooted.
SI7774DP-T1-GE3

SI7774DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7818DN-T1-E3

SI7818DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7812DN-T1-E3

SI7812DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7784DP-T1-GE3

SI7784DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7794DP-T1-GE3

SI7794DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7790DP-T1-GE3

SI7790DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7802DN-T1-E3

SI7802DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7806ADN-T1-GE3

SI7806ADN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7818DN-T1-GE3

SI7818DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7748DP-T1-GE3

SI7748DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7804DN-T1-GE3

SI7804DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7792DP-T1-GE3

SI7792DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7812DN-T1-GE3

SI7812DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7810DN-T1-E3

SI7810DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7788DP-T1-GE3

SI7788DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7806ADN-T1-E3

SI7806ADN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7804DN-T1-E3

SI7804DN-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.