Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7848BDP-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

6510087

SI7848BDP-T1-GE3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7848BDP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

1+

$1.93

10+

$1.71

100+

$1.351

500+

$1.048

1000+

$0.827

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SI7848BDP-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SI7848BDP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

PowerPAK® SO-8
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 16A, 10V
Voolukatkestus (max)

4.2W (Ta), 36W (Tc)
Pakend

Original-Reel®
Pakett / kott

PowerPAK® SO-8
Muud nimed

SI7848BDP-T1-GE3DKR
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

27 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

2000pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

40V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 40V 47A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

47A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SI7848BDP-T1-GE3" seotud tooted.

SI7844DP-T1-GE3

SI7844DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7846DP-T1-GE3

SI7846DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7856ADP-T1-GE3

SI7856ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7856ADP-T1-E3

SI7856ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7850DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7850DP-T1-GE3

SI7850DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7848BDP-T1-E3

SI7848BDP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7846DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7840BDP-T1-GE3

SI7840BDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7844DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7842DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7852DP-T1-GE3

SI7852DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7842DP-T1-GE3

SI7842DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7820DN-T1-GE3

SI7820DN-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 1.7A 1212-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7850ADP-T1-GE3

SI7850ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V POWERPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7840BDP-T1-E3

SI7840BDP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7848DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 10.4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7852ADP-T1-GE3

SI7852ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7852ADP-T1-E3

SI7852ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SI7852DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.