Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI7860ADP-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5767180SI7860ADP-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7860ADP-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI7860ADP-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI7860ADP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SO-8
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 16A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.8W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SO-8
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta)

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI7860ADP-T1-GE3" seotud tooted.
SI7860DP-T1-E3

SI7860DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7862ADP-T1-E3

SI7862ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7866ADP-T1-E3

SI7866ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7852DP-T1-GE3

SI7852DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7852ADP-T1-GE3

SI7852ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7852DP-T1-E3

SI7852DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7856ADP-T1-E3

SI7856ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7866ADP-T1-GE3

SI7866ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7858ADP-T1-GE3

SI7858ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7858BDP-T1-GE3

SI7858BDP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7860ADP-T1-E3

SI7860ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7868ADP-T1-GE3

SI7868ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7872DP-T1-GE3

SI7872DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7860DP-T1-GE3

SI7860DP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7856ADP-T1-GE3

SI7856ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7862ADP-T1-GE3

SI7862ADP-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7858ADP-T1-E3

SI7858ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7868ADP-T1-E3

SI7868ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7852ADP-T1-E3

SI7852ADP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI7872DP-T1-E3

SI7872DP-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.