Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI8410DB-T2-E1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4520320SI8410DB-T2-E1 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI8410DB-T2-E1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.495
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI8410DB-T2-E1
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI8410DB-T2-E1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    850mV @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    4-Micro Foot (1x1)
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    780mW (Ta), 1.8W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    4-UFBGA
  • Muud nimed
    SI8410DB-T2-E1TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    620pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 8V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount 4-Micro Foot (1x1)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    -

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI8410DB-T2-E1" seotud tooted.
SI8416DB-T1-GE3

SI8416DB-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8415DB-T1-E1

SI8415DB-T1-E1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8420-C-IS

SI8420-C-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8417DB-T2-E1

SI8417DB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8410AD-A-ISR

SI8410AD-A-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8410BB-D-IS

SI8410BB-D-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8410AD-A-IS

SI8410AD-A-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8410BD-D-IS

SI8410BD-D-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8420-B-IS

SI8420-B-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8420AB-D-IS

SI8420AB-D-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8416DB-T2-E1

SI8416DB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8410BD-A-IS

SI8410BD-A-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8410BB-D-ISR

SI8410BB-D-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8410BD-D-ISR

SI8410BD-D-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8420AB-D-ISR

SI8420AB-D-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8413DB-T1-E1

SI8413DB-T1-E1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8410AD-D-ISR

SI8410AD-D-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8420-A-IS

SI8420-A-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8410AD-D-IS

SI8410AD-D-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8410BD-A-ISR

SI8410BD-A-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 1CH GEN PURP 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.