Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI8812DB-T2-E1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2162215SI8812DB-T2-E1 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SI8812DB-T2-E1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.168
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI8812DB-T2-E1
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI8812DB-T2-E1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±5V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    4-Microfoot
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    59 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    500mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    4-UFBGA
  • Muud nimed
    SI8812DB-T2-E1TR
    SI8812DBT2E1
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 8V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.2V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    -

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI8812DB-T2-E1" seotud tooted.
SI8809EDB-T2-E1

SI8809EDB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8821EDB-T2-E1

SI8821EDB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8806DB-T2-E1

SI8806DB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8808DB-T2-E1

SI8808DB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V MICROFOOT

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8810EDB-T2-E1

SI8810EDB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8805EDB-T2-E1

SI8805EDB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V MICROFOOT

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI87XXSDIP6-KIT

SI87XXSDIP6-KIT

Kirjeldus: KIT EVAL SI871X SO-6

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88221BC-ISR

SI88221BC-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8819EDB-T2-E1

SI8819EDB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8816EDB-T2-E1

SI8816EDB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI87XXSOIC8-KIT

SI87XXSOIC8-KIT

Kirjeldus: KIT EVAL GW 8SOIC SI871X

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8802DB-T2-E1

SI8802DB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V MICROFOOT

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI88220EC-IS

SI88220EC-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88220BC-IS

SI88220BC-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88220BC-ISR

SI88220BC-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI87XXSAMP-KIT

SI87XXSAMP-KIT

Kirjeldus: SAMPLE PACK SI87XX

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88220EC-ISR

SI88220EC-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI8817DB-T2-E1

SI8817DB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI8800EDB-T2-E1

SI8800EDB-T2-E1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SI88221BC-IS

SI88221BC-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 16SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.