Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SI8851EDB-T2-E1
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5930518

SI8851EDB-T2-E1

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.263
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI8851EDB-T2-E1
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SI8851EDB-T2-E1.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    Power Micro Foot® (2.4x2)
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 7A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    660mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    30-XFBGA
  • Muud nimed
    SI8851EDB-T2-E1TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    6900pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    180nC @ 8V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 20V 7.7A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount Power Micro Foot® (2.4x2)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    7.7A (Ta)
  • Baasosa number
    SI8851

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SI8851EDB-T2-E1" seotud tooted.
SI88620ED-IS

SI88620ED-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88443EC-IS

SI88443EC-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88441EC-ISR

SI88441EC-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88620EC-IS

SI88620EC-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88444EC-ISR

SI88444EC-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88440EC-IS

SI88440EC-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88444EC-IS

SI88444EC-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88620BC-IS

SI88620BC-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88442EC-IS

SI88442EC-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88621BD-IS

SI88621BD-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88441EC-IS

SI88441EC-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88443EC-ISR

SI88443EC-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88620EC-ISR

SI88620EC-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88620BD-IS

SI88620BD-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88621BC-ISR

SI88621BC-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88621EC-IS

SI88621EC-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88442EC-ISR

SI88442EC-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88620BC-ISR

SI88620BC-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88440EC-ISR

SI88440EC-ISR

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
SI88621BC-IS

SI88621BC-IS

Kirjeldus: DGTL ISO 5KV 2CH GEN PURP 20SOIC

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.