Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIA416DJ-T1-GE3

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

744574

SIA416DJ-T1-GE3 pilt

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIA416DJ-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

3000+

$0.30

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

SIA416DJ-T1-GE3
Tootja / bränd

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

SIA416DJ-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

PowerPAK® SC-70-6 Single
Seeria

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

83 mOhm @ 3.2A, 10V
Voolukatkestus (max)

3.5W (Ta), 19W (Tc)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

PowerPAK® SC-70-6
Muud nimed

SIA416DJ-T1-GE3TR
SIA416DJT1GE3
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

295pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

100V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 100V 11.3A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

11.3A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "SIA416DJ-T1-GE3" seotud tooted.

SIA413DJ-T1-GE3

SIA413DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA411DJ-T1-GE3

SIA411DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA400EDJ-T1-GE3

SIA400EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA413ADJ-T1-GE3

SIA413ADJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA415DJ-T1-GE3

SIA415DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA411DJ-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA408DJ-T1-GE3

SIA408DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA110DJ-T1-GE3

SIA110DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SC-7

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA406DJ-T1-GE3

SIA406DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA417DJ-T1-GE3

SIA417DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA430DJ-T1-GE3

SIA430DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA414DJ-T1-GE3

SIA414DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay

Laos

SIA421DJ-T1-GE3

SIA421DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Tootjad: Vishay Siliconix

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.