Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIA459EDJ-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1853840SIA459EDJ-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIA459EDJ-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.193
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIA459EDJ-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 20V 9A SC70
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIA459EDJ-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±12V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SC-70-6
  • Muud nimed
    SIA459EDJ-T1-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    885pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    2.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 20V 9A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIA459EDJ-T1-GE3" seotud tooted.
SIA461DJ-T1-GE3

SIA461DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA472EDJ-T1-GE3

SIA472EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA477EDJ-T1-GE3

SIA477EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA450DJ-T1-GE3

SIA450DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA445EDJT-T1-GE3

SIA445EDJT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA447DJ-T1-GE3

SIA447DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA462DJ-T1-GE3

SIA462DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A SC-70-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA477EDJT-T1-GE3

SIA477EDJT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA456DJ-T1-GE3

SIA456DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA468DJ-T1-GE3

SIA468DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 37.8A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA448DJ-T1-GE3

SIA448DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA445EDJ-T1-GE3

SIA445EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA453EDJ-T1-GE3

SIA453EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA467EDJ-T1-GE3

SIA467EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 31A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA446DJ-T1-GE3

SIA446DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 7.7A SC70-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA465EDJ-T1-GE3

SIA465EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA469DJ-T1-GE3

SIA469DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CHANNEL 30V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA450DJ-T1-E3

SIA450DJ-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA466EDJ-T1-GE3

SIA466EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 25A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA449DJ-T1-GE3

SIA449DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.