Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIA810DJ-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4966627SIA810DJ-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIA810DJ-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.478
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIA810DJ-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIA810DJ-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Seeria
    LITTLE FOOT®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    53 mOhm @ 3.7A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    15 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    400pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11.5nC @ 8V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    Schottky Diode (Isolated)
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Tc)

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIA810DJ-T1-GE3" seotud tooted.
SIA811DJ-T1-E3

SIA811DJ-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA906EDJ-T1-GE3

SIA906EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA850DJ-T1-GE3

SIA850DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA810DJ-T1-E3

SIA810DJ-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA910EDJ-T1-GE3

SIA910EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA513DJ-T1-GE3

SIA513DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA907EDJT-T1-GE3

SIA907EDJT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA777EDJ-T1-GE3

SIA777EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA778DJ-T1-GE3

SIA778DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA511DJ-T1-GE3

SIA511DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA517DJ-T1-GE3

SIA517DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA811DJ-T1-GE3

SIA811DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA811ADJ-T1-GE3

SIA811ADJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA533EDJ-T1-GE3

SIA533EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA817EDJ-T1-GE3

SIA817EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA519EDJ-T1-GE3

SIA519EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA537EDJ-T1-GE3

SIA537EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA813DJ-T1-GE3

SIA813DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA814DJ-T1-GE3

SIA814DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA527DJ-T1-GE3

SIA527DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.