Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SIB900EDK-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4127202SIB900EDK-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIB900EDK-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.223
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIB900EDK-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIB900EDK-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
  • Võimsus - maks
    3.1W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Muud nimed
    SIB900EDK-T1-GE3TR
    SIB900EDKT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.7nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.5A
  • Baasosa number
    SIB900

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIB900EDK-T1-GE3" seotud tooted.
SIB912DK-T1-GE3

SIB912DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIBF-05-F-S-AD

SIBF-05-F-S-AD

Kirjeldus: .050 SIBF ASSEMBLY

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB800EDK-T1-GE3

SIB800EDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIBF-25-F-S-AD

SIBF-25-F-S-AD

Kirjeldus: .050 SIBF ASSEMBLY

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB455EDK-T1-GE3

SIB455EDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB911DK-T1-E3

SIB911DK-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB441EDK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB488DK-T1-GE3

SIB488DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIBF-20-F-S-AD

SIBF-20-F-S-AD

Kirjeldus: .050 SIBF ASSEMBLY

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
SIB911DK-T1-GE3

SIB911DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB433EDK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIB914DK-T1-GE3

SIB914DK-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIBF-10-F-S-AD

SIBF-10-F-S-AD

Kirjeldus: .050 SIBF ASSEMBLY

Tootjad: Samtec, Inc.
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.