Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIE868DF-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
597867SIE868DF-T1-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIE868DF-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$2.97
10+
$2.686
100+
$2.159
500+
$1.679
1000+
$1.391
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIE868DF-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIE868DF-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    10-PolarPAK® (L)
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3 mOhm @ 20A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    5.2W (Ta), 125W (Tc)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    10-PolarPAK® (L)
  • Muud nimed
    SIE868DF-T1-GE3DKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    6100pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    145nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 40V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIE868DF-T1-GE3" seotud tooted.
SIE848DF-T1-E3

SIE848DF-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE862DF-T1-GE3

SIE862DF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE854DF-T1-GE3

SIE854DF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE882DF-T1-GE3

SIE882DF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE830DF-T1-E3

SIE830DF-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE844DF-T1-E3

SIE844DF-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE860DF-T1-GE3

SIE860DF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE830DF-T1-GE3

SIE830DF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 50A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE876DF-T1-GE3

SIE876DF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE854DF-T1-E3

SIE854DF-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE832DF-T1-GE3

SIE832DF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE836DF-T1-GE3

SIE836DF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE874DF-T1-GE3

SIE874DF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE836DF-T1-E3

SIE836DF-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE864DF-T1-GE3

SIE864DF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE848DF-T1-GE3

SIE848DF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE832DF-T1-E3

SIE832DF-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE878DF-T1-GE3

SIE878DF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 45A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE844DF-T1-GE3

SIE844DF-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 44.5A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIE860DF-T1-E3

SIE860DF-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.