Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIHB15N65E-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2087781SIHB15N65E-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHB15N65E-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$2.077
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIHB15N65E-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 650V 15A TO263
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
    SIHB15N65E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263 (D²Pak)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    280 mOhm @ 8A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    34W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1640pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    96nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    650V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 650V 15A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIHB15N65E-GE3" seotud tooted.
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB20N50E-GE3

SIHB20N50E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 19A TO-263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB12N60ET1-GE3

SIHB12N60ET1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB15N60E-GE3

SIHB15N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 15A DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB21N65EF-GE3

SIHB21N65EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB12N50E-GE3

SIHB12N50E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB12N50C-E3

SIHB12N50C-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB15N50E-GE3

SIHB15N50E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB22N60E-E3

SIHB22N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB10N40D-GE3

SIHB10N40D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 10A DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB18N60E-GE3

SIHB18N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB12N60ET5-GE3

SIHB12N60ET5-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB22N60EL-GE3

SIHB22N60EL-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB16N50C-E3

SIHB16N50C-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB22N60AEL-GE3

SIHB22N60AEL-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.