Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIHB23N60E-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4691062SIHB23N60E-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHB23N60E-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$2.272
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIHB23N60E-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIHB23N60E-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    158 mOhm @ 12A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    227W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2418pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    95nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 23A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIHB23N60E-GE3" seotud tooted.
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIHB24N65ET5-GE3

SIHB24N65ET5-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB30N60E-GE3

SIHB30N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB22N65E-GE3

SIHB22N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB30N60AEL-GE3

SIHB30N60AEL-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB24N65ET1-GE3

SIHB24N65ET1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 24A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB24N65E-E3

SIHB24N65E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB25N50E-GE3

SIHB25N50E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 26A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB24N65E-GE3

SIHB24N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB22N60E-E3

SIHB22N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB30N60E-E3

SIHB30N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB22N60AEL-GE3

SIHB22N60AEL-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB22N60S-E3

SIHB22N60S-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIHB22N60ET1-GE3

SIHB22N60ET1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB22N60EL-GE3

SIHB22N60EL-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB22N60ET5-GE3

SIHB22N60ET5-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 21A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB24N65EF-GE3

SIHB24N65EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB22N60S-GE3

SIHB22N60S-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHB28N60EF-GE3

SIHB28N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.