Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIHD7N60ET5-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6933263SIHD7N60ET5-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHD7N60ET5-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.885
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIHD7N60ET5-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
    SIHD7N60ET5-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-252AA
  • Seeria
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    78W (Tc)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    680pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    7A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIHD7N60ET5-GE3" seotud tooted.
SIHD7N60E-E3

SIHD7N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHF12N65E-GE3

SIHF12N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHF15N60E-E3

SIHF15N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHF15N60E-GE3

SIHF15N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD9N60E-GE3

SIHD9N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHF12N60E-E3

SIHF12N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD7N60ET4-GE3

SIHD7N60ET4-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHF12N60E-GE3

SIHF12N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIHF10N40D-E3

SIHF10N40D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHF12N65E-GE3

SIHF12N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 12A TO-220

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIHF12N50C-E3

SIHF12N50C-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.