Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIHG11N80E-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5192891SIHG11N80E-GE3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHG11N80E-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$4.75
10+
$4.238
100+
$3.475
500+
$2.814
1000+
$2.373
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIHG11N80E-GE3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIHG11N80E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247AC
  • Seeria
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    440 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    179W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1670pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    88nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    800V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 800V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIHG11N80E-GE3" seotud tooted.
SIHG15N60E-GE3

SIHG15N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG16N50C-E3

SIHG16N50C-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG14N50D-GE3

SIHG14N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG20N50C-E3

SIHG20N50C-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 20A TO247

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHFR1N60A-GE3

SIHFR1N60A-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG14N50D-E3

SIHG14N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHFR1N60ATR-GE3

SIHFR1N60ATR-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHF8N50D-E3

SIHF8N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220 FLPK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHFB11N50A-E3

SIHFB11N50A-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHF8N50L-E3

SIHF8N50L-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHFB20N50K-E3

SIHFB20N50K-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG17N80E-GE3

SIHG17N80E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG17N60D-GE3

SIHG17N60D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHFS11N50A-GE3

SIHFS11N50A-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 11A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHF7N60E-GE3

SIHF7N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG20N50E-GE3

SIHG20N50E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG17N60D-E3

SIHG17N60D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG050N60E-GE3

SIHG050N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHFS9N60A-GE3

SIHFS9N60A-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.