Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIHG25N40D-E3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2856021SIHG25N40D-E3 piltElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHG25N40D-E3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$4.28
10+
$3.824
100+
$3.136
500+
$2.539
1000+
$2.141
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIHG25N40D-E3
  • Tootja / bränd
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.SIHG25N40D-E3.pdf
    2.SIHG25N40D-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247AC
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    170 mOhm @ 13A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    278W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Muud nimed
    SIHG25N40DE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    13 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1707pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    88nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    400V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 400V 25A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIHG25N40D-E3" seotud tooted.
SIHG28N60EF-GE3

SIHG28N60EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG24N65EF-GE3

SIHG24N65EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG22N60AEL-GE3

SIHG22N60AEL-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG30N60AEL-GE3

SIHG30N60AEL-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG32N50D-GE3

SIHG32N50D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG24N65E-E3

SIHG24N65E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG24N65E-GE3

SIHG24N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG23N60E-GE3

SIHG23N60E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG22N60EL-GE3

SIHG22N60EL-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG30N60E-E3

SIHG30N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG28N65EF-GE3

SIHG28N65EF-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG22N60E-E3

SIHG22N60E-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG25N40D-GE3

SIHG25N40D-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG32N50D-E3

SIHG32N50D-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG25N50E-GE3

SIHG25N50E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG25N60EFL-GE3

SIHG25N60EFL-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIHG22N65E-GE3

SIHG22N65E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 22A TO-247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.